Prevádzkové princípy tranzistora

Transistor - zariadenie, ktoré bežia na polovodičov v elektronike. Je určený pre konverziu a zosilnenie elektrických signálov. K dispozícii sú dva typy zariadení: bipolárny tranzistor a tranzistor riadený poľom, alebo pole.

V prípade, že tranzistor sú dva typy nosičov náboja pracovať súčasne - diery a elektróny, sa nazýva bipolárnou. V prípade, že tranzistor je len jeden typ poplatku, je unipolárny.

Predstavte si, že práca bežnou vodou z kohútika. Obrátil skrutka - prietok vody zvýšiť, otočil sa na druhú stranu - spomaliť či zastaviť tok. Prakticky sa jedná o princíp činnosti tranzistora. Len elektróny miesto prúdom vody prúdiacej cez neho. Princíp činnosti bipolárneho tranzistoru typu sa vyznačuje tým, že prostredníctvom tohto elektronického zariadenia sú dva druhy energie, čo je. Delí sa na vysokú, alebo základné a malé, alebo manažéra. Pričom riadiace prúd ovplyvňuje kapacitu hlavného napájania. Zvážiť tranzistor riadený poľom. Princíp jeho fungovania je odlišný od ostatných. Prechádza iba jeden výstupný prúd , ktorý závisí na okolitom elektromagnetickom poli.

Bipolárna tranzistor je vyrobená z 3 vrstiev polovodičov, rovnako ako čo je najdôležitejšie, dvomi PN-križovatky. Je nutné rozlišovať medzi PNP a NPN prechody, a teda aj tranzistorov. Tieto polovodiče sa striedajú elektrónov a dier vedenia.

Bipolárna tranzistor má tri terminály. Tento kontakt bázy, čo ponecháva strednú vrstvu a dve elektródy na okrajoch - emitor a kolektor. V porovnaní s týmito dvoma hlavnými elektródami základná vrstva je veľmi tenká. Pozdĺž okrajov tranzistora oblasti polovodičových nie je symetrický. polovodičové vrstva usporiadaná na strane kolektora pre správnu činnosť tohto zariadenia je potrebné, aby malé, ale je silnejší v porovnaní s bočnej strane vysielača.

princípy tranzistorové operácie sú založené na fyzikálnych procesov. Poďme pracovať s modelom PNP. NPN model bude fungovať podobný okrem polarite napätia medzi týmito základnými prvkami ako kolektor a emitor. Bude to v opačnom smere.

Substancie P-typu obsahuje otvor alebo kladne nabité ióny. N-typ látka skladá zo záporne nabité elektróny. V našej tranzistora počtom otvorov v regióne F je oveľa väčšia, než je počet elektrónov v N.

Ak pripojíte zdroj napätia medzi týmito časťami, ako emitor a kolektor princípov tranzistorových operácie sú založené na skutočnosti, že otvory sú priťahované k pólu a zhromažďovať v blízkosti vysielača. Ale súčasná nejde. Elektrické pole od zdroja napätia nedosiahne kolektora, pretože hrubé polovodičové Emitorové vrstvy a základnej polovodičové vrstvy.
Potom pripojiť zdroj napätia s inou kombináciou prvkov, a to báz a emitorom. Teraz otvory sú odoslané do databázy a začne komunikovať s elektrónmi. Centrálna časť základne je nasýtený s otvormi. Výsledkom je dva prúdy. Veľký - z vysielača do kolektora, malé - od základne k emitor.

S rastúcim napätím v databáze vo vrstve N bude ešte viac dier, k zvýšeniu základnej prúd, bude emitor aktuálnej stránky trochu zvýšiť. To znamená, že malá zmena v základnom prúde vážne dosť zosilnený emitor aktuálny. Výsledkom je nárast signálu bipolárneho tranzistoru.

Brala zreteľ na zásady tranzistora v závislosti od prevádzkového režimu. Rozlíšiť normálne aktívny mód, inverzný aktívneho režimu, sýtosti režimu medzná.
V aktívnom režime, emitor je otvorené a uzavreté kolektora spojenie. V režime inverzie, všetko sa deje práve naopak.